A fotonica basata in siliciu hè attualmente cunsiderata a piattaforma di fotonica di prossima generazione per e cumunicazioni integrate.Tuttavia, u sviluppu di modulatori ottichi compacti è di bassa putenza resta una sfida.Quì raportemu un effettu elettro-otticu giganti in i pozzi quantistici accoppiati Ge / SiGe.Stu effettu prometente hè basatu annantu à l'effettu quantum Stark anomalu per via di u confinamentu separatu di l'elettroni è i buchi in i pozzi quantum Ge/SiGe accoppiati.Stu fenominu pò esse usatu per migliurà significativamente a prestazione di i modulatori di luce cumparatu cù l'approcciu standard sviluppatu finu à avà in a fotonica di siliciu.Avemu misuratu i cambiamenti in l'indice di rifrazione finu à 2,3 × 10-3 à una tensione di polarizazione di 1,5 V cù una efficienza di modulazione currispondente VπLπ di 0,046 Vcm.Questa dimostrazione apre a strada per u sviluppu di modulatori di fasi efficienti à alta velocità basati in sistemi di materiale Ge / SiGe.
Tempu di posta: 06-06-2023