A film fina nantu à a mira rivestita hè una forma di materiale speciale.In a direzzione specifica di u grossu, a scala hè assai chjuca, chì hè una quantità misurabile microscòpica.In più, per via di l'apparizione è l'interfaccia di u spessore di film, a continuità materiale finisce, chì face chì i dati di u filmu è i dati di destinazione anu diverse proprietà cumuni. E u mira hè principalmente l'usu di u revestimentu di magnetron sputtering, l'editore di Beijing Richmat hà da piglià à capisce. u principiu è e cumpetenze di sputtering coating.
一、Principiu di u revestimentu sputtering
Sputtering abilità di rivestimentu hè di utilizà l'aspettu di destinazione di sbucciatura di ioni, l'atomi di destinazione sò colpiti da u fenomenu cunnisciutu cum'è sputtering.L'atomi dipositu nantu à a superficia di u sustrato sò chjamati sputtering coating.Generally, l'ionizazione di gasu hè prodotta da una scarica di gasu, è l'ioni pusitivi bombast u target cathode à alta velocità sottu à l'azzione di u campu elettricu, chjappà l'atomi o molécule di u target cathode, è vola à a superficia di u sustrato à esse dipositu in un film.Simply parlante, sputtering coating usa bassa pressione gas inerte glow scaricamentu à generà ioni.
In generale, l'attrezzatura di placcatura di film sputtering hè dotata di dui elettrodi in una camera di scaricamentu di vacuum, è u target di catodu hè cumpostu di dati di rivestimentu.A camera di vacuum hè piena di gas argon cù una pressione di 0.1 ~ 10Pa.A scarica di Glow si trova à u cathode sottu l'azzione di alta tensione negativa di 1 ~ 3kV dc o rf voltage di 13.56mhz.Ioni Argon bombardeanu a superficia di destinazione è causanu l'atomi di mira sputtered per accumulà nantu à u sustrato.
二、Caratteristiche di capacità di rivestimentu di sputtering
1 、 Velocità di stacking veloce
A diffarenza trà l'elettrodu di sputtering magnetron d'alta velocità è l'elettrodu sputtering tradiziunale in dui stadi hè chì u magnetu hè dispostu sottu à u mira, cusì u campu magneticu irregolare chjusu si trova nantu à a superficia di u target。A forza di lorentz nantu à l'elettroni hè versu u centru. di u campu magneticu eterogeneu.A causa di l'effettu di focu, l'elettroni scappanu menu.U campu magneticu eterogeneu gira intornu à a superficia di destinazione, è l'elettroni secondari catturati in u campu magneticu eterogeneu scontranu ripetutamente cù e molécule di gas, chì migliurà l'alta rata di cunversione di e molecule di gas. pò ottene una grande efficienza di revestimentu, cù caratteristiche di scaricamentu ideali.
2、A temperatura di u sustrato hè bassu
Sputtering magnetron ad alta velocità, cunnisciutu ancu sputtering à bassa temperatura.U mutivu hè chì u dispusitivu usa scarichi in un spaziu di campi elettromagnetichi chì sò dritti à l'altri.L'elettroni secundarii chì si trovanu à l'esternu di u mira, in l'altri.Sutta l'azzione di un campu elettromagneticu drittu, hè ligatu vicinu à a superficia di u mira è si move longu a pista in una linea di rotazione circular, battendu ripetutamente contru à e molécule di gas per ionizà e molécule di gas. bumps ripetuti, finu à chì a so energia hè quasi completamente persa prima di pudè scappà da a superficia di u mira vicinu à u sustrato.Perchè l'energia di l'elettroni hè cusì bassa, a temperatura di u mira ùn hè micca troppu altu.Hè abbastanza per contru à l'aumentu di a temperatura di u sustrato causatu da u bumbardamentu elettronicu d'alta energia di un colpu di diodu ordinariu, chì cumpleta a criogenizazione.
3 、 Una larga gamma di strutture di membrana
A struttura di i filmi sottili ottenuti da l'evaporazione in vacuum è a deposizione d'iniezione hè assai sfarente da quella ottenuta da a diluzione di solidi in massa.In cuntrastu à i solidi generalmente esistenti, chì sò classificati cum'è essenzialmente a listessa struttura in trè dimensioni, i filmi dipositati in a fase di gasu sò classificati com'è strutture eterogenee. I filmi sottili sò colonnari è ponu esse investigati da a microscopia elettronica di scanning.A crescita di colonna di a film hè causata da a superficia cunvexa originale di u sustrato è uni pochi d'ombra in i parti prominenti di u sustrato.Tuttavia, a forma è a dimensione di a colonna sò assai diffirenti per via di a temperatura di u sustrato, a dispersione di a superficia di l'atomi impilati, a sepultura di l'atomi di impurità è l'Angle incidente di l'atomi incidenti relative à a superficia di u substratu.In u intervallu di temperatura eccessivu, a film fina hà una struttura fibruosa, d'alta densità, composta di cristalli columnar fini, chì hè a struttura unica di a film sputtering.
A pressione di sputtering è a velocità di stacking di film affettanu ancu a struttura di a film.Perchè e molécule di gasu anu l'effettu di suppressione a dispersione di l'atomi nantu à a superficia di u sustrato, l'effettu di a pressione di sputtering alta hè adattatu per a caduta di a temperatura di u sustrato in u mudellu.Dunque, i filmi porosi chì cuntenenu grani fini ponu esse ottenuti à alta pressione di sputtering.Questa pellicola di piccula grana hè adattata per a lubricazione, a resistenza à l'usura, l'indurimentu di a superficia è altre applicazioni meccaniche.
4 、 Organizà a cumpusizioni uniformemente
Cumposti, mischii, leghe, etc., chì sò adattati difficiuli di esse rivestiti da l'evaporazione di vacuum perchè e pressioni di vapore di i cumpunenti sò diffirenti o perchè si differenzianu quandu si riscaldanu. U metudu di revestimentu di sputtering hè di fà u stratu di superficia di destinazione di l'atomi strata per strata. à u sustrato, in questu sensu hè una capacità di fà film più perfetta.Ogni tipu di materiali ponu esse aduprati in a produzzione di rivestimenti industriali per sputtering.
Tempu di Postu: Apr-29-2022