Polysilicon hè un impurtante materiale di destinazione sputtering.Aduprendu u metudu di sputtering magnetron per preparà SiO2 è altri filmi sottili ponu fà chì u materiale di a matrice hà una migliore resistenza ottica, dielettrica è di corrosione, chì hè largamente utilizata in u touch screen, l'ottica è altre industrii.
U prucessu di casting cristalli longu hè di rializà a solidificazione direzzione di u siliciu liquidu da u fondu à a cima gradualmente cuntrullendu accuratamente a temperatura di u riscaldatore in u campu caldu di u fornu di lingotti è a dissipazione di calore di u materiale d'insulazione termale, è u a velocità di cristalli longu di solidificazione hè 0,8 ~ 1,2 cm / h.À u listessu tempu, in u prucessu di solidificazione direzzione, l'effettu di segregazione di l'elementi metallichi in materiali di siliciu pò esse realizatu, a maiò parte di l'elementi metallichi ponu esse purificati, è pò esse furmatu una struttura uniforme di granu di silicium policristalline.
Casting polysilicon ci vole dinù esse intenzionalmente dopatu in u prucessu di pruduzzioni, in ordine di cambià a cuncintrazzioni di impurità accettatori in u silicium melt.U dopante principale di u polisilicuu p-tipu cast in l'industria hè l'alliage maestru di silicu boru, in quale u cuntenutu di boru hè di circa 0,025%.A quantità di doping hè determinata da a resistività di destinazione di u wafer di siliciu.A resistività ottima hè 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, è a cuncintrazione di boru currispundente hè di circa 2 × 1014cm-3。 Tuttavia, u coefficient di segregazione di boru in siliciu hè 0,8, chì mostrarà un certu effettu di segregazione in u prucessu di solidificazione direzionale, chì hè, l'elementu boru hè distribuitu in un gradiente in a direzzione verticale di u lingotti, è a resistività diminuite gradualmente da u fondu à a cima di u lingotti.
Tempu di post: Jul-26-2022